日本芯片初创企业Rapidus在新落成的制造工厂开始试产2纳米全环绕栅极（gate-all-around (GAA) ）晶体管，标志着半导体制造技术取得重大突破。

Rapidus表示，其2纳米GAA晶体管原型已开始获得电特性参数，该术语指代导电性、电阻、电压、功率和频率等指标。这一成就使公司有望按计划于2027年实现量产。

该公司目标在2026年第一季度前向部分客户发布兼容工艺设计套件，以便客户启动各自的试产流程。

Rapidus将2纳米晶体管突破归功于近期建成的IIM-1晶圆厂。该工厂于2023年9月动工，2024年完成洁净室建设，上月刚刚完成”200多台全球最先进半导体设备”的装机。

公司认为IIM-1是对传统晶圆厂模式的”重大革新”，重新定义了”半导体工厂应如何实时思考、学习、调整和优化工艺流程”。

Rapidus采用全单晶圆前端加工和极紫外光刻等技术，自称在各技术领域均处于领先地位。

据彭博社报道，日本政府于2024年初向Rapidus追加5900亿日元（40亿美元）投资，此前的资金已用于支持IIM-1建设。

多家媒体报道显示，Rapidus是日本政府为振兴半导体产业重点注资的多家企业之一。据报道，该战略还包括总额达10万亿日元的补贴和激励计划。